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molecular formula
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EL
MOS
CMOS
RM-A
acid
-
base
¹ýÑõ»¯Çâ Hydrogen Peroxide H2O2
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ÁòËá Sulfuric Acid H2SO4
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ÑÎËá Hydrochloric Acid HCl
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ÏõËá Nitric Acid(more) HNO3
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·¢ÑÌÏõËá Nitric Acid Fuming HNO3
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Á×Ëá Phosphoric Acid H3PO4
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Çâ·úËá Hydrofluoric Acid HF
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±ùÒÒËá Acetic Acid,Glacial CH3COOH
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ÇâÑõ»¯ï§ Ammonium Hydroxide NH4¡¤OH
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·ú»¯ï§ Ammonium Fluoride,40% NH4F
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ÇâÑõ»¯¼ØÈÜÒº Potassium Hydroxide Liquid KOH
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ÇâÑõ»¯ÄÆÈÜÒº Sodium Hydroxide Liquid NaOH
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corroding agent
·ú»¯ï§¸¯Ê´Òº£¨BOE£© Amnonium Fluoride Etchants NH4F¡¤HF
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ÂÁ¸¯Ê´Òº£¨PES£© Aluminum Etchants H3PO4¡¤HNO3¡¤CH3COOH
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¹è¸¯Ê´Òº£¨MAE£© Silicon Etchants HNO3¡¤HF¡¤CH3COOH
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»ìºÏËá3F Mixed Acid 3F  
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»ìºÏËá4F Mixed Acid 4F  
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solvent
 ¼×´¼ Methanol CH3OH
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ÒÒ´¼ Ethanol C2H5OH
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Òì±û´¼ IPA(more) CH3CHOHCH3
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±ûͪ Acetone (CH3)2CO
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´×Ëᶡõ¥ n-Butyl Acetate C6H12O2
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¼×±½ Toluene C6H5CH3
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¶þ¼×±½ Xylenes C8H10
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ÈýÂÈÒÒÏ© Trichloroethylene C2HCl3
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1.1.1ÈýÂÈÒÒÍé 1.1.1¡ªTrichloroethane CH3CCl3
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»·ÒÑÍé Cyclohexane C6H12
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else
 ȥë¼Á Deburring reagent          
ƯϴҺ Photoresist rinse          
°þÀëÒº Photoresist stripper          
¹â¿Ì½ºÅäÌ×ÊÔ¼Á Engraving reagent          
Õý½ºÏÔÓ°Òº Positive photoresist developer          
¸º½ºÏÔÓ°Òº Negative photoresist developer          
¸ß´¿ÇåÏ´¼Á High pure cleanhing agent          

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